RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Vergleichen Sie
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Gesamtnote
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gesamtnote
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
43
47
Rund um 9% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
14.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.6
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
47
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
14.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
11.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2506
2875
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link