RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Vergleichen Sie
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Gesamtnote
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gesamtnote
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
43
Rund um -87% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.4
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.4
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
16.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
14.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2506
2978
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link