RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Vergleichen Sie
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Gesamtnote
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gesamtnote
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
43
Rund um -72% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
13.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2506
2889
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Mushkin 994083 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link