RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
20.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
16.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
59
Rund um -127% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,833.8
20.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
16.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
731
4084
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link