RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
59
Rund um -79% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
2,123.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,833.8
10.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
8.4
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
731
2503
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Kingston ACR16D3LU1KNG/4G 4GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link