RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
59
Rund um -168% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,833.8
17.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
13.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
731
3297
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology C 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
G Skill Intl F3-1600C9-8GXM 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4A-H9 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link