RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gesamtnote
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
59
Rund um -90% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
2,123.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,833.8
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
9.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
731
2713
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB RAM-Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link