RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gesamtnote
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
59
Rund um -74% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,833.8
17.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
12.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
731
3356
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link