RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
59
Rund um -103% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
2,123.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,833.8
13.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
9.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
731
2312
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link