RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
13.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
11.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
59
Rund um -79% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
6400
Rund um 4 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,833.8
13.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
11.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
25600
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
731
2608
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
A-DATA Technology AX5U5200C3816G-B 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Samsung M471B5173BH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link