RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
69
Rund um -82% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
1,857.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,217.2
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,857.7
12.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
668
2316
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Team Group Inc. 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link