RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
22.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
58
Rund um -93% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.1
1,950.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
6400
Rund um 4 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
58
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,241.0
22.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,950.7
17.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
25600
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
651
3871
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link