RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
58
Rund um -123% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.0
1,950.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
58
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,241.0
17.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,950.7
14.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
651
3017
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB RAM-Vergleiche
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link