RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gesamtnote
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
58
Rund um -71% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.6
4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
1,950.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
58
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,241.0
8.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,950.7
8.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
651
2079
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link