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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB

Gesamtnote
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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Gesamtnote
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SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Unterschiede

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    4 left arrow 14
    Durchschnittswert bei den Tests
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    43 left arrow 58
    Rund um -35% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    12.3 left arrow 1,950.7
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    21300 left arrow 6400
    Rund um 3.33 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    58 left arrow 43
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    4,241.0 left arrow 14.0
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    1,950.7 left arrow 12.3
  • Speicherbandbreite, mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • Beschreibung
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    651 left arrow 2867

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