RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
15.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
39
46
Rund um -18% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
3200
Rund um 8 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
15.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
10.1
Speicherbandbreite, mbps
3200
25600
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
2478
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Team Group Inc. 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link