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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
16.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
46
Rund um -31% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.9
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
3200
Rund um 5.31 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
16.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
12.9
Speicherbandbreite, mbps
3200
17000
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
3314
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
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SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
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