RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
17.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
46
Rund um -44% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
3200
Rund um 6.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
12.5
Speicherbandbreite, mbps
3200
21300
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
3103
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kllisre 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link