RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
19.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
46
Rund um -77% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.3
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
3200
Rund um 6.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
19.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
15.3
Speicherbandbreite, mbps
3200
21300
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
3783
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link