RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
17.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
46
Rund um -64% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
3200
Rund um 6.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
13.6
Speicherbandbreite, mbps
3200
21300
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
3324
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
OCZ OCZ2V8002G 2GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link