RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
15.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
46
Rund um -35% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.7
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
3200
Rund um 6.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
13.7
Speicherbandbreite, mbps
3200
21300
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
3153
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link