RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
13
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
40
46
Rund um -15% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
3200
Rund um 6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
40
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
13.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
9.6
Speicherbandbreite, mbps
3200
19200
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
2522
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Corsair CML8GX3M1A1600C10 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link