RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
16.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
46
Rund um -100% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
3200
Rund um 6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
16.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
12.5
Speicherbandbreite, mbps
3200
19200
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
3018
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Nanya Technology NT256T64UH4B0FY-37 256MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link