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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
14.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
46
Rund um -64% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.8
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
3200
Rund um 5.31 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
14.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
10.8
Speicherbandbreite, mbps
3200
17000
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
2527
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
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