RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
19.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
46
Rund um -64% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.5
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
3200
Rund um 6.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
19.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
14.5
Speicherbandbreite, mbps
3200
21300
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
3650
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Crucial Technology CT51264BC160B.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link