RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
15.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
39
46
Rund um -18% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.6
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
3200
Rund um 8 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
15.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
12.6
Speicherbandbreite, mbps
3200
25600
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
3000
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
AMD R748G2133U2S 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link