RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
19.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
18
46
Rund um -156% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.2
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
3200
Rund um 5.31 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
18
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
19.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
16.2
Speicherbandbreite, mbps
3200
17000
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
3597
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link