RAM-Vergleich Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB

Gesamtnote

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

65 101

Rund um 36% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

4 12.1

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB

Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

6.7 2,451.8

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

19200 6400

Rund um 3 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

878 1382

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns