RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,168.2
11.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
60
Rund um -94% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
60
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,595.2
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,168.2
11.9
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
941
2477
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link