RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,168.2
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
39
60
Rund um -54% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
60
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,595.2
12.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,168.2
11.6
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
941
2089
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link