RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,168.2
13.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
60
Rund um -114% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
60
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,595.2
17.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,168.2
13.0
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
941
3398
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link