RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,784.6
11.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
65
Rund um -71% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,806.8
15.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,784.6
11.4
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
932
2821
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
INTENSO M418039 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link