RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Gesamtnote
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,784.6
16.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
65
Rund um -124% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
6400
Rund um 4 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,806.8
17.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,784.6
16.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
25600
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
932
3961
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PEP22G6400LL 2GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link