RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
18
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,021.5
14.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
47
Rund um -57% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,575.4
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,021.5
14.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
563
3466
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB RAM-Vergleiche
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB RAM-Vergleiche
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link