RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
52
Rund um -37% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.5
1,906.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
52
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,672.4
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,906.4
10.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
698
2346
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 91T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953GZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link