RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
77
Rund um -120% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
2,622.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
5300
Rund um 4.83 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
16.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
9.6
Speicherbandbreite, mbps
5300
25600
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
2607
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link