RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
14.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
77
Rund um -196% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
16.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
14.5
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
3204
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link