RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
13.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
77
Rund um -250% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
17.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
13.0
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
3060
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link