RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
10.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
77
Rund um -185% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
12.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
10.5
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
2536
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link