RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Gesamtnote
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
32
Rund um 22% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.2
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.4
12.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Rund um 1.11 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR5
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.1
14.4
Speicherbandbreite, mbps
19200
21300
Other
Beschreibung
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3419
3189
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link