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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Gesamtnote
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
36
Rund um -20% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.4
15
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.0
10.3
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.0
18.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
17.0
Speicherbandbreite, mbps
17000
17000
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2569
3860
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAM-Vergleiche
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
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