RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Gesamtnote
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gesamtnote
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
90
Rund um 60% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
8.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
15
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
90
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.0
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
8.7
Speicherbandbreite, mbps
17000
19200
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2569
1743
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link