RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Gesamtnote
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gesamtnote
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
56
Rund um 36% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.7
15
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
56
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.0
18.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
8.9
Speicherbandbreite, mbps
17000
19200
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2569
2235
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link