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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Gesamtnote
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gesamtnote
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
34
Rund um 3% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
15.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
10.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
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Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
10.7
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2910
2796
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
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