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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Gesamtnote
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
58
Rund um 43% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
6.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Rund um 1.33% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
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Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
58
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
13.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
6.7
Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2910
1740
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM-Vergleiche
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
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