RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Gesamtnote
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
17.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Rund um 1.33% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
33
Rund um -50% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.2
12.0
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
17.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
13.2
Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2910
2648
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link