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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Gesamtnote
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
39
Rund um 15% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
15.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Rund um 1.2% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
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Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.1
12.0
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
12.1
Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2910
2760
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM-Vergleiche
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
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