RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Gesamtnote
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
33
Rund um -43% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
17.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.8
12.0
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
17.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
12.8
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2910
3091
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link