RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Gesamtnote
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gesamtnote
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
17
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Rund um 1.2% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
33
Rund um -3% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.2
12.0
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
12.2
Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2910
2958
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB RAM-Vergleiche
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link