RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Gesamtnote
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
35
Rund um 6% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.8
13.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.7
18.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.5
18.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.8
13.6
Speicherbandbreite, mbps
25600
25600
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3341
3423
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link